提金樹脂工藝
提金樹脂工藝 適用的行業(yè)范圍包括:
1.鍍金液(氰化金和氰化亞金溶液)中金的回收
2.各種PCB電路板脫金液體(可以是堿性也可以是酸性)中金的回收
3.黃金礦山堆浸和池浸工藝中含金貴液和貧液的吸附
4.各種溶金液體(王水或氯化金液等)中金的吸附
提金樹脂工藝 強堿型軟化樹脂在含高鹽地下水處理工藝應用 可以通過津達強堿型軟化樹脂除去; 呈吸附狀態(tài)的硅酸化合物,般可以經(jīng) 過濾除去; 呈不安定的膠體硅顆粒直徑 100 -800 之間,添加樹脂處理方法的除硅效果各種成分又會交叉影響系統(tǒng)正常運行,所以, 解硅在地下水中存在形態(tài)是非常重要的。
地下水中硅的存在形態(tài)及處理方法
天然水中硅酸化合物主要有以下四種形態(tài):
1、 呈分子、 離子狀態(tài); 2、 呈吸附狀態(tài); 津達強堿性軟化樹脂處置地下水應用方法方法
地下水活性炭過濾出水、電滲析出水、大孔弱堿樹脂柱出水、凝膠強堿樹脂柱出水、混床出水、能發(fā)揮交換作用的佳pH:為 pH < 9; 而在 pH < 9 時, 硅酸主要以分子態(tài)存在, 所以大 孔弱堿對硅酸沒有去除能力。 強堿陰樹脂對 硅的去除幾乎 , 這說明預處置手段選擇得當, 不致形成膠體硅, 水中硅的形態(tài)主要 以離子態(tài)存在, 混床除硅更加*。
電滲析沒有去除硅能力; 大孔離子交換樹脂對分子、 離子態(tài)硅不吸附、 交換; 津達強堿型軟化樹脂對離 子 態(tài) 硅 去 除 率 接 近 ;混床可去除殘留硅, 慣例分析硅含量未 其中分子、離子狀態(tài)的稱為活性硅 或可 溶性硅 , 其余三者統(tǒng)稱為非活性硅 或不溶,性硅活性硅溶于水中, 比膠體硅小得多, 因此不能除去膠體硅, 活性炭對膠體硅具有一定的吸附 能力, 活性炭吸附柱除膠體硅能力較一般過濾介質大得多。通過實踐分析結果數(shù)據(jù)可看出, 去除硅主要靠強堿陰樹脂, 津達大孔離子交換樹脂除硅能力幾乎為零, 這主要是兩個條件制約, 大孔弱堿處置后水中硅含量未檢出31 呈不安定的膠體狀態(tài); 41 呈較安定的粗粒。
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去離子水樹脂故障的排查與解決方法 石英砂墊層亂層
交換器底部選用石英砂墊層時,因反洗操作不當或積污,會造成石英砂層結塊;若反洗水從局部沖出則會造成石英砂墊層亂層。
石英砂墊層下面的穹型多孔板的中心,應不開孔,以避免底部進水流速過高沖亂石英砂層。如果穹型板是全部開孔的,可以在穹型多孔板下面加裝擋板,但是,不可使用縫隙式噴水頭或多孔式花籃,因為它們的出水流速太高,距穹型板又近,仍然會使水流集中于局部小孔噴出,沖亂石英砂層。
石英砂墊層應嚴格按照級配逐層鋪墊,每層的厚度必須均勻。在裝入樹脂前,可以進行反洗試驗,要求在流速達到40-60m/h時,石英砂墊層不亂層,不移動。
中間排液裝置的損壞
逆流再生離子交換器的中排裝置損壞是常見的故障。中排裝置損壞的根本原因是,在樹脂層中有氣泡或干層的情況下,反洗進水流速過高,樹脂層尚未散開,樹脂的流動性差,夾在干樹脂層中的中間排液裝置被向上托起而造成的。在運行中因樹脂干層收縮,也會造成中排支管的向下彎曲。
在陽床的運行中,樹脂層內出現(xiàn)氣泡是因為陽床用進口閥門調節(jié)流量,交換器在低壓(0.1-0.2Mpa)下運行,經(jīng)交換反應生成的碳酸變?yōu)橛坞x的CO2析出,積聚在樹脂層內。防止CO2析出的方法是保持交換器在0.4-0.6Mpa壓力下運行。此外,如果水泵軸封漏氣,也會使空氣隨水流進入交換器,積在樹脂層中。特別應該指出的是設備長期停用或因閥門漏水造成樹脂干層時,進水速度一定要緩慢(2-3m/h),使樹脂層中的氣泡能慢慢逸出,不得將干樹脂層托起。
頂部裝置的損壞
一般下向流運行的交換器(如順流再生設備、逆流再生設備等),其頂部裝置比較簡單,很少損壞。上向流運行的交換器(如浮床、雙室浮床等),運行時容易造成損壞。浮床的頂部裝置過去曾使用過母支管式、法蘭夾多孔板式、弧形支管式以及體外母管外插式等,經(jīng)過多年的研究和試驗,證明使用孔板水帽式和弧形支管式效果較好。
交換器頂部裝置損壞的主要原因是樹脂層頂部干層,底部進水流速高時,樹脂層象活塞一樣壓向頂部裝置造成損壞。防止損壞的方法是先用小流量水流充滿樹脂層,再加大水的流量。
另外一種損壞交換器頂部裝置的原因是,采用弱型樹脂的浮床,在裝填新樹脂時,未考慮足夠的可逆轉型和不可逆膨脹的空間,樹脂膨脹時會損壞交換器的頂部裝置。
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